Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     4GUDN-2104979
Gyártó:
     Vishay
Gyártói szám:
     SIHD11N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET DPAK (TO-252) tokozású, egyszeres konfigurációjú.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Avalanche-energia (UIS) Integrált Zener dióda ESD védelem
További információk:
Csatorna típusa:
N
Maximális folyamatos nyelőáram:
8 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:
800 V
Csomag típusa:
DPAK (TO-252)
Sorozat:
E
Rögzítés típusa:
Felületre szerelhető
Tüskék száma:
3
Maximális nyelő forrásellenállás:
0.391 Ω
Maximális kapu küszöbfeszültség:
2 → 4V
Elemek száma chipenként:
1
További keresőfogalmak: 2104979, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SIHD11N80AEGE3
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 341,00*
  
Az ár 37 500 db-től érvényes
Megrendelések csak a 5 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 5 db
HUF 797,00*
HUF 1 012,00
db-ként
kezdő: 25 db
HUF 771,00*
HUF 979,00
db-ként
kezdő: 50 db
HUF 702,00*
HUF 892,00
db-ként
kezdő: 100 db
HUF 688,00*
HUF 874,00
db-ként
kezdő: 125 db
HUF 541,00*
HUF 687,00
db-ként
kezdő: 250 db
HUF 431,00*
HUF 547,00
db-ként
kezdő: 500 db
HUF 402,00*
HUF 511,00
db-ként
kezdő: 37500 db
HUF 341,00*
HUF 433,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.