MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 200 V, 7-tüskés, DirectFET izometrikus HEXFET Si

A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET 200V maximális elvezető forrás feszültség egy DirectFET MZ csomag névleges 19 amper optimalizált alacsony bekapcsolt ellenállás. Ez a digitális audio MOSFET kifejezetten a D osztályú audioerősítő alkalmazásokhoz készült. Ez a MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja az alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. Továbbá a kapu töltése, a test-dióda fordított visszaállása és a belső kapu ellenállása optimalizálásra kerül a legfontosabb D osztályú hangerősítő teljesítménytényezők, például a hatékonyság, a THD és az EMI javítására. Az IRF6785MPbF eszköz DirectFETTM csomagolási technológiát használ. A DirectFETTM csomagolási technológia alacsonyabb parazita induktivitást és ellenállást biztosít a hagyományos huzalokkal kötött SOIC csomagoláshoz képest.A legújabb MOSFET szilikon technológia A D osztályú hangerősítő alkalmazásokhoz optimalizált legfontosabb paraméterek Kétoldalas hűtéssel kompatibilis Ólommentes (legfeljebb 260 °C-os visszafolyási hőmérsékletre minősítve)