MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si

Ez a Infineon HEXFET® Power MOSFET a legújabb 35A ID feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. A kialakítás további jellemzői közé tartozik a 175 °C-os működési hőmérséklet, a gyors kapcsolási sebesség és továbbfejlesztett ismétlődő lavinaképesség. Ezek a funkciók kombinálják, hogy ez a kialakítás rendkívül hatékony és megbízható eszköz legyen a legkülönbözőbb alkalmazásokhoz.Fejlett folyamattechnológia Rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Ólom- és halogénmentes