MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247 HEXFET

A Infineon erős IRFET™ teljesítmény MOSFET család alacsony RDS(ON) és nagy áramerősségű képességekre van optimalizálva. Az eszközök ideálisak a teljesítményt és robusztusságot igénylő, alacsony frekvenciájú alkalmazásokhoz. Az átfogó portfólió alkalmazások széles körével foglalkozik, beleértve a DC motorokat, az akkumulátorkezelő rendszereket, az invertereket és a DC-DC átalakítókat. .Továbbfejlesztett kapu, lavina és dinamikus dv/dt robusztusság Teljesen jellemzett kapacitás és lavina SOA Továbbfejlesztett test dióda dv/dt és di/dt képesség Ólommentes RoHS-megfelelőség Halogénmentes