MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ P7 Si

A Infineon 600V CoolMOS™ P7 sorozatú N csatornás teljesítmény MOSFET. Rendkívül alacsony kapcsolási és vezetési veszteséggel rendelkezik, ami a kapcsolási alkalmazásokat még hatékonyabbá, kompaktabbá és sokkal hűvösebbé teszi. A CoolMOS™ 7. Generációs platform egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a szupercsomópont (SJ) elvének megfelelően terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő.Kemény és lágy kapcsoláshoz (PFC és LLC) a kiváló kommutációs robusztusság miatt A kapcsolási és vezetési veszteségek jelentős csökkenése Kiváló, 2 >kV-os ESD-ellenálló képesség (HBM) minden termékhez