Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ -T2 Si


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     4GUDN-2183055
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IPD90N10S4L06ATMA1
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
mosfet 100v
A Infineon OptiMOS™-T2 sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET. Alacsony kapcsolási és vezetési energiaveszteséggel rendelkezik a magas termikus hatékonyság érdekében.N-csatorna – Javítási mód MSL1 - 260 °C Peak visszafolyása 175 °C-os üzemi hőmérséklet
További információk:
Csatorna típusa:
N
Maximális folyamatos nyelőáram:
90 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:
100 V
Csomag típusa:
DPAK (TO-252)
Sorozat:
OptiMOS™ -T2
Rögzítés típusa:
Felületre szerelhető
Tüskék száma:
3
Maximális nyelő forrásellenállás:
0.0066 Ω
Csatorna mód:
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:
2.1V
Elemek száma chipenként:
1
Tranzisztor anyaga:
Si
További keresőfogalmak: teljesítmény tranzisztor, 2183055, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPD90N10S4L06ATMA1
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 557,00*
  
Az ár 30 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 10 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 10 db
HUF 884,00*
HUF 1 123,00
db-ként
kezdő: 20 db
HUF 877,00*
HUF 1 114,00
db-ként
kezdő: 50 db
HUF 779,00*
HUF 989,00
db-ként
kezdő: 100 db
HUF 731,00*
HUF 928,00
db-ként
kezdő: 200 db
HUF 725,00*
HUF 921,00
db-ként
kezdő: 250 db
HUF 694,00*
HUF 881,00
db-ként
kezdő: 500 db
HUF 646,00*
HUF 820,00
db-ként
kezdő: 30000 db
HUF 557,00*
HUF 707,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.