MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 950 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ P7

A Infineon a nagyfeszültségű MOSFET arénában a növekvő fogyasztói igények kielégítésére készült, legújabb 950V CoolMOS™ P7 technológia az alacsony teljesítményű SMPS piacra összpontosít. A 950V CoolMOS™ P7 sorozat 50 V-mal nagyobb blokkoló feszültséget kínál, mint elődje, a 900V CoolMOS™ C3, és kiemelkedő teljesítményt nyújt a hatékonyság, a hőteljesítmény és az egyszerű használat terén. Mint minden más P7 család tagja, a 950V CoolMOS™ P7 sorozat integrált Zener diódával rendelkezik ESD védelemmel. Az integrált dióda jelentősen javítja az elektrosztatikus kisülés ellenálló képességét, így csökkenti az elektrosztatikus kisüléssel kapcsolatos termésveszteséget, és kivételes, könnyen kezelhető szintet ér el. A CoolMOS™ P7 a kategóriájában legjobb VGS(TH) 3V-tal és mindössze ± 0,5V-os szűk tűréssel rendelkezik, ami megkönnyíti a vezetést és a tervezést.Kategóriájában a legjobb VGS (TH) 3 V és a legkisebb VGS (TH) variáció ±0,5 V Integrált Zener dióda ESD-védelem 2. Osztályig (HBM) Kategóriájában a legjobb minőség és megbízhatóság