MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 151 A, 650 V, 5-tüskés, ThinkPAK 8 x 8 CoolMOS™ P7

A Infineon 600V Cool MOS P7 Super junction (SJ) MOSFET a 600V Cool MOS P6 sorozat utódja. Továbbra is egyensúlyt teremt a nagy hatékonyság és a tervezési folyamat egyszerű használata között. A COOL MOS 7. Generációs platform R onxA kategóriájában a legjobb, és az eredendően alacsony kapu töltés (Q G) biztosítja a magas hatékonyságot.600V P7 lehetővé teszi a kiváló FOM RDS(on)xEoss és RDS(on)xQG Legalább 2 kV ESD-zavartűrés (HBM 2. Osztály) Integrált kapu ellenállás RG Robusztus felépítésű dióda Széles körű választék lyukas és felületre szerelhető csomagokban Normál és ipari minőségű alkatrészek is kaphatók A kiváló FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss nagyobb hatékonyságot tesz lehetővé Egyszerű használat a gyártási környezetekben az elektrosztatikus kisülés okozta hibák megakadályozásával Az integrált RG csökkenti a MOSFET oszcillációs érzékenységét A MOSFET mind a kemény, mind a rezonáns kapcsolási topológiákhoz használható Mint például a PFC és az LLC Kiváló robusztusság a test diódájának kemény kommutációja során Az LLC topológiában Sokféle végfeladatra és kimenetre alkalmas hatáskörök Fogyasztói és ipari alkalmazásokhoz megfelelő alkatrészek kaphatók