MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 5,4 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET

Az Infineon OptiMOS N-csatornás teljesítmény MOSFET-jei a hatékonyság, a teljesítménysűrűség és a költséghatékonyság növelésére lettek kifejlesztve. Az OptiMOS termékek a nagy teljesítményű alkalmazásokhoz és a magas kapcsolási frekvenciára optimalizálva győzik meg az iparág legjobb érdemeit. Az OptiMOS teljesítményű MOSFET-portfólió, amelyet most erős IRFET egészít ki, valóban hatékony kombinációt alkot. Használja ki az erős IRFET MOSFET-EK és az OptiMOS MOSFET-EK kategóriájában a legjobb technológia robusztus és kiváló ár/teljesítmény előnyeit. Mindkét termékcsalád megfelel a legmagasabb minőségi követelményeknek és a teljesítmény követelményeinek. A 12 V-tól 300 V-ig terjedő MOSFET-eket lefedő közös portfólió az alacsony és a magas kapcsolási frekvenciától, például az SMPS-től, az akkumulátoros alkalmazásoktól, a motorvezérléstől és meghajtásoktól, az inverterektől és a számítástechnikától különböző igények széles körét képes kielégíteni.Síkbeli sejtszerkezet széles SOA-hoz A disztribúciós partnerek legszélesebb körű elérhetőségére optimalizálva Termékminősítés a JEDEC szabvány szerint 100

További információk:

Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	5,4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	SO-8
Sorozat:	HEXFET
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	0.039 O
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	20V
Elemek száma chipenként:	2