MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 24 A, 150 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET

A Infineon OptiMOS N-csatornás teljesítmény MOSFET-eket a hatékonyság, teljesítménysűrűség és költséghatékonyság növelésére fejlesztették ki. Az OptiMOS termékek a nagy teljesítményű alkalmazásokhoz és a magas kapcsolási frekvenciára optimalizálva győzik meg az iparág legjobb érdemeit. Az OptiMOS teljesítményű MOSFET-portfólió, amelyet most erős IRFET egészít ki, valóban hatékony kombinációt alkot. Használja ki az erős IRFET MOSFET-EK és az OptiMOS MOSFET-EK kategóriájában a legjobb technológia robusztus és kiváló ár/teljesítmény előnyeit. Mindkét termékcsalád megfelel a legmagasabb minőségi követelményeknek és a teljesítmény követelményeinek. A 12 V-tól 300 V-ig terjedő MOSFET-eket lefedő közös portfólió az alacsony és a magas kapcsolási frekvenciától, például az SMPS-től, az akkumulátoros alkalmazásoktól, a motorvezérléstől és meghajtásoktól, az inverterektől és a számítástechnikától különböző igények széles körét képes kielégíteni.Alacsony a kamraajtó-leeresztő töltet a csökkentéshez Kapcsolási veszteségek Teljesen jellemző kapacitás, beleértve Hatékony COSS a tervezés egyszerűsítéséhez (lásd Alkalmazás AN1001 megjegyzés) Teljesen jellemző lavina feszültség És az aktuális Ólommentes