MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO 263 CoolMOS™ Szilikon

A COOL MOS™ C7 Infineon kialakítása egy forradalmi technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a Super junction (SJ) elv alapján terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A 600V Cool MOS™ C7 sorozat ötvözi a vezető SJ MOSFET beszállító tapasztalatait a magas szintű innovációval. A 600 V-os C7 az első olyan technológia, amely az RDS(on)*A-val 1 Ohm * mm2 alatt működik.Alkalmas kemény és lágy kapcsoláshoz (PFC és nagy teljesítményű LLC), a MOSFET dv/dt robusztussága 120 V/ns-ra nőtt Megnövelt hatékonyság az osztály legjobb FOM RDS(on)*Eoss és RDS(on)*QG Kategóriájában a legjobb RDS(on) /csomag