Dióda 5A, 1200V SiC Schottky, SiC Schottky, 2-tüskés, DPAK (TO-252-2)

A Infineon CoolSiC™ Schottky dióda 5 1200 V-os generációja, 5 A DPAK real2pin tokozásban a SiC Schottky barrier diódák vezető élű technológiáját mutatja be. A G2-vel már bevezetett vékony szelettechnológia most egy új egyesített pn-elosztással párosul, amely javítja a diódák túláramát. Az eredmény egy sor olyan termék, amelyek vonzó költségponton piacvezető hatékonyságot és nagyobb rendszermegbízhatóságot nyújtanak.Kategóriájában a legjobb előremeneti feszültség (VF) Nincs fordított visszaforgatási díj A VF enyhe pozitív hőmérséklet-függése Kategóriájában a legjobb túlfeszültség-védelmi képesség Kiváló hőteljesítmény