MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 1700 V, 7-tüskés, TO-263-7 IMBF1

A TO-263-7 magas levezetési tokozású Infineon CoolSiC™ 650 V, 1700 m-es SIC MOSFET-et úgy optimalizálták, hogy repülésre alkalmas topológiákat lehessen használni a DC-kapcsolati feszültségekhez csatlakoztatott kiegészítő tápegységekben, 1000 V-tól 600 V-ig számos teljesítményalkalmazásban.Reply-back topológiákra optimalizálva Rendkívül alacsony kapcsolási veszteség 0 V / 12 V kapu-forrás feszültség kompatibilis a fly-back vezérlőkkel Teljes mértékben szabályozható DV/dt az EMI optimalizálásához SMD csomag továbbfejlesztett leepage és távolság, > 7 mm