MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 80 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ -T2 Szilikon

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-2291833

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IPD50N08S413ATMA1

EAN/GTIN:
nincs adat

Keresőfogalmak:

A Infineon n csatornás MOSFET üzemi hőmérséklete 175 °C, lavinája pedig 100 százalék.RoHS-kompatibilis és AEC Q101 minősítésű

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	50 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	80 V
Csomag típusa:	DPAK (TO-252)
Sorozat:	OptiMOS™ -T2
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	0.0132 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Elemek száma chipenként:	1
Tranzisztor anyaga:	Szilikon

További keresőfogalmak: 2291833, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPD50N08S413ATMA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 326,00*

Az ár 45 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 15 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.