Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 

SiC teljesítménymodul, 204 A, 1200 V


Mennyiség:  csomag  
Termékinformációk

Cikkszám:
     4GUDN-2461508
Gyártó:
     ROHM Semiconductor
Gyártói szám:
     BSM180D12P2C101
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Csatorna típusa = N
Maximális folyamatos nyelőáram = 204 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V
Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés
Maximális teljesítménydisszipáció = 1360 W
Maximális működési hőmérséklet = +150 °C
Min. működési hőmérséklet = -40 °C
További információk:
Csatorna típusa:
N
Maximális folyamatos nyelőáram:
204 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:
1200 V
Rögzítés típusa:
Csavaros rögzítés
Maximális teljesítménydisszipáció:
1360 W
Maximális működési hőmérséklet:
+150 °C
Min. működési hőmérséklet:
-40 °C
További keresőfogalmak: 2461508, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, ROHM, BSM180D12P2C101
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 1 707 226,80*
  
Az ár 10 csomagok-től érvényes
1 csomag tartalmaz 12 db (kezdő: HUF 142 268,90* db-ként)
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
1 csomag
HUF 1 739 141,80008*
HUF 2 208 710,0861
csomag-ként
kezdő: 2 csomagok
HUF 1 734 432,80004*
HUF 2 202 729,65605
csomag-ként
kezdő: 5 csomagok
HUF 1 715 490,80004*
HUF 2 178 673,31605
csomag-ként
kezdő: 10 csomagok
HUF 1 707 226,80*
HUF 2 168 178,036
csomag-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.