MOSFET, 1 elem/chip, 2.5 A, 60 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5410632

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRLD024PBF

EAN/GTIN:
5059040908109

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	2.5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	HVMDIP
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	100 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1.3 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-10 V, +10 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 5410632, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRLD024PBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 412,00*

Az ár 15 000 db-től érvényes

Sávos árak