MOSFET, 1 elem/chip, 700 mA, 100 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5410749

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRFD9110PBF

EAN/GTIN:
5059040895317

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	700 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	HVMDIP
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	1,2 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1.3 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 5410749, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRFD9110PBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 323,00*

Az ár 30 000 db-től érvényes

Sávos árak