MOSFET, 1 elem/chip, 3.1 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5411146

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRFBG30PBF

EAN/GTIN:
5059040893276

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	3.1 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	1000 V
Csomag típusa:	TO-220AB
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	5 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	125 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.41mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: Tranzisztor, teljesítmény tranzisztor, 5411146, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRFBG30PBF

Ajánlatok (3)

Raktárkészlet

Min. mennyiség

Szállítás nettó

Sávos ár

Nettó ár

HUF 1 200,00*

kezdő: HUF 289,00*

HUF 695,00*

Raktár 4GUDN

HUF 1 500,00*

kezdő: HUF 524,00*

HUF 1 009,00*

4 munkanap

2802

HUF 2 326,00*

kezdő: HUF 749,00*

HUF 1 175,00*

Árak: Raktár 4GUDN

Raktárkészlet: Raktár 4GUDN

Szállítás nettó: Raktár 4GUDN

Jelenítsen meg részletesebb raktárkészlet információt.

Visszaviteli jog ezen termékre: Raktár 4GUDN

Időszak:	21 napon belül
Csomagolási állapot:	Eredeti csomagolás nincs kinyitva, sérülés nélkül
Áru állapota:	használatlan
Visszaszállítási költség:	az ügyfél fizeti
Kezelési költség:	A költségeket az egyedi eset vizsgálata után a kereskedelmi partner állapítja meg.
Az ÁSZF szerinti szavatossági idő a megadott visszaviteli jogtól függetlenül változatlan marad.