MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-6556795

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI1302DL-T1-E3

EAN/GTIN:
5059040870406

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	600 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOT-323
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	480 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	280 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	2.2mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 6556795, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI1302DLT1E3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 423,00*

Az ár 15 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 42,30* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.