MOSFET, 1 elem/chip, 2.5 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-6875352

Gyártói szám:
STD3NK80Z-1

EAN/GTIN:
5059042984095

Keresőfogalmak:

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	2.5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	800 V
Csomag típusa:	IPAK (TO-251)
Sorozat:	MDmesh, SuperMESH
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	4,5 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	70 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	6.6mm

További keresőfogalmak: 6875352, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, STMicroelectronics, STD3NK80Z1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 505,40*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 501,08* db-ként)

Sávos árak