MOSFET, 1 elem/chip, 1.9 A, 100 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7082633

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
ZXMN10A08E6TA

EAN/GTIN:
5059043966281

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	1.9 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	SOT-23
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	300 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1.7 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	3mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 7082633, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, ZXMN10A08E6TA

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 123,00*

Az ár 75 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 10 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.