MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7115360

Gyártó:
IXYS

Gyártói szám:
IXFK26N120P

EAN/GTIN:
5059041997911

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	26 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	1200 V
Csomag típusa:	TO-264
Sorozat:	HiperFET, Polar
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	460 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	6.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	960 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	19.96mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: teljesítmény tranzisztor, 7115360, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, IXYS, IXFK26N120P

Ajánlatok (2)

Raktárkészlet

Szállítás nettó

Sávos ár

Nettó ár

HUF 1 200,00*

kezdő: HUF 10 017,00*

HUF 16 113,00*

Raktár 4GUDN

ingyenes

kezdő: HUF 13 521,00*

HUF 17 409,00*

Árak: Raktár 4GUDN

Raktárkészlet: Raktár 4GUDN

Szállítás nettó: Raktár 4GUDN

Jelenítsen meg részletesebb raktárkészlet információt.

Visszaviteli jog ezen termékre: Raktár 4GUDN

Időszak:	21 napon belül
Csomagolási állapot:	Eredeti csomagolás nincs kinyitva, sérülés nélkül
Áru állapota:	használatlan
Visszaszállítási költség:	az ügyfél fizeti
Kezelési költség:	A költségeket az egyedi eset vizsgálata után a kereskedelmi partner állapítja meg.
Az ÁSZF szerinti szavatossági idő a megadott visszaviteli jogtól függetlenül változatlan marad.