MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7545443

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IPB200N15N3 G

EAN/GTIN:
5059043791999

Keresőfogalmak:

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	50 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	150 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Sorozat:	OptiMOS™ 3
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	20 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	150 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.31mm

További keresőfogalmak: mosfet 100v, 7545443, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPB200N15N3G

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 733,80*

Az ár 15 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 2 db (kezdő: HUF 366,90* db-ként)

Sávos árak