MOSFET, 2 elem/chip, 880 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7800611

Gyártó:
onsemi

Gyártói szám:
NTJD4152PT1G

EAN/GTIN:
5059042252569

Keresőfogalmak:

Két P-csatornás MOSFET on Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	880 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	SOT-363
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	1 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1.2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	350 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-12 V, +12 V
Hossz:	2.2mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 7800611, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, onsemi, NTJD4152PT1G

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 247,60*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 25 db (kezdő: HUF 49,904* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.