MOSFET, 1 elem/chip, 8,5 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7879014

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI4850EY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040737327

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	8,5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	47 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	3,3 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: MOSFET-tranzisztor, teljesítmény tranzisztor, 7879014, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI4850EYT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 179,00*

Az ár 37 500 db-től érvényes

Megrendelések csak a 5 db többszöröseként

Sávos árak