MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7879235

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI4190ADY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040677302

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	18 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	2,2 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	6 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 7879235, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI4190ADYT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 215,00*

Az ár 37 500 db-től érvényes

Megrendelések csak a 5 db többszöröseként

Sávos árak