MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7879355

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SIR870ADP-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040842700

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	60 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	PowerPAK SO-8
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	10,5 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	104 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.25mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: mosfet 100v, fet tranzisztor, 7879355, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SIR870ADPT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 323,80*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 464,76* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.