MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7916025

Gyártó:
onsemi

Gyártói szám:
2N7002LT3G

EAN/GTIN:
5059042519976

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	115 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SOT-23
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	7,5 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	300 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	3.04mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 7916025, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, onsemi, 2N7002LT3G

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 3 341,60*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 200 db (kezdő: HUF 16,708* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.