Tranzisztor MMBTH10LT1G, NPN, 4 mA, 25 V, 100 MHz, 3-tüskés Egyszeres

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7930784

Gyártó:
onsemi

Gyártói szám:
MMBTH10LT1G

EAN/GTIN:
5059042075274

Keresőfogalmak:

A gyártó cikkszáma NSV előtaggal az AEC-Q101 szabványnak megfelelő autógyártás. On Semiconductor RF bipoláris tranzisztorok

További információk:


Tranzisztortípus:	NPN
Maximális DC kollektoráram:	4 mA
Maximális kollektor kibocsátó feszültség:	25 V
Csomag típusa:	SOT-23
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Maximális teljesítménydisszipáció:	225 mW
Minimális egyenáramú erősítés:	60, 120
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kollektor alapfeszültség:	30 V DC
Maximális kibocsátó alapfeszültség:	3 V
Maximális üzemi frekvencia:	100 MHz
Tüskék száma:	3
Elemek száma chipenként:	1
Méret:	3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 7930784, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, Bipoláris tranzisztorok, onsemi, MMBTH10LT1G

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 879,10*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 100 db (kezdő: HUF 18,791* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.