MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) PowerTrench Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8023200

Gyártó:
onsemi

Gyártói szám:
FDB035N10A

EAN/GTIN:
5059042496611

Keresőfogalmak:

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	120 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Sorozat:	PowerTrench
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	3,5 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	333 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.67mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

További keresőfogalmak: 8023200, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, onsemi, FDB035N10A

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 640,20*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 2 db (kezdő: HUF 1 320,10* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.