MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8058717

Gyártó:
onsemi

Gyártói szám:
NVF3055L108T1G

EAN/GTIN:
5059042658323

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SOT-223
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	120 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2,1 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-15 V, +15 V
Hossz:	6.7mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8058717, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, onsemi, NVF3055L108T1G

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 6 250,50*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 25 db (kezdő: HUF 250,02* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.