MOSFET, 1 elem/chip, 1,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8080060

Gyártó:
onsemi

Gyártói szám:
NTR1P02LT3G

EAN/GTIN:
5059042123050

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 20 V on Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	1,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	SOT-23
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	350 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1.25V
Maximális teljesítménydisszipáció:	400 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-12 V, +12 V
Hossz:	3.04mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8080060, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, onsemi, NTR1P02LT3G

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 3 875,20*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 200 db (kezdő: HUF 19,376* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.