MOSFET, 2 elem/chip, 135 mA, 60 V, 6-tüskés, SC-89-6 Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8123029

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI1025X-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040792210

Keresőfogalmak:

Két P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	135 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SC-89-6
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	8 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	250 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	1.7mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 8123029, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI1025XT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 260,20*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 63,01* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.