MOSFET, 2 elem/chip, 1,3 A, 20 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8123091

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI1922EDH-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040793712

Keresőfogalmak:

Két N-csatornás MOSFET, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	1,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	SOT-363
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	263 m/s
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.4V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,25 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-8 V, +8 V
Hossz:	2.2mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 8123091, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI1922EDHT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 774,80*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 50 db (kezdő: HUF 55,496* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.