MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8123139

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI2365EDS-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040791077

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	4,7 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	SOT-23
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	67.5 m/s
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.4V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,7 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-8 V, +8 V
Hossz:	3.04mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8123139, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI2365EDST1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 978,80*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 50 db (kezdő: HUF 19,576* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.