MOSFET, 1 elem/chip, 3,9 A, 8 V, 6-tüskés, TSOP-6 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8123173

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI3499DV-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040790698

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	3,9 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	8 V
Csomag típusa:	TSOP-6
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	48 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.35V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,1 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-5 V, +5 V
Hossz:	3.1mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8123173, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI3499DVT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 767,20*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 138,36* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.