MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8123205

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI4178DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040791947

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	12 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	33 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.4V
Maximális teljesítménydisszipáció:	5 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-25 V, +25 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8123205, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI4178DYT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 828,30*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 91,415* db-ként)

Sávos árak