MOSFET, 2 elem/chip, 4,7 A, 6,8 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8123233

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI4599DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040793798

Keresőfogalmak:

Két N/P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N, P
Maximális folyamatos nyelőáram:	4,7 A, 6,8 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	40 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	42.5 mΩ, 62 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	3 W, 3,1 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 8123233, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI4599DYT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 853,00*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 92,65* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.