MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8141222

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SIA462DJ-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040805811

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	12 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOT-363
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	22 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	19 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	2.15mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8141222, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SIA462DJT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 618,00*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 50 db (kezdő: HUF 32,36* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.