MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8141314

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SISS23DN-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040742383

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	27 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	PowerPAK 1212-8
Sorozat:	TrenchFET
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	11.5 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.4V
Maximális teljesítménydisszipáció:	57 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-8 V, +8 V
Hossz:	3.3mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 8141314, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SISS23DNT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 3 448,60*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 172,43* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.