MOSFET, 1 elem/chip, 8,1 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8152632

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SIHF634S-GE3

EAN/GTIN:
5059040764514

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	8,1 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	250 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	450 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	74 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.67mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8152632, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SIHF634SGE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 3 876,00*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 387,60* db-ként)

Sávos árak