MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8152698

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SIHFBC30AS-GE3

EAN/GTIN:
5059040764897

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	3,6 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	600 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	2,2 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	74 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	10.67mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8152698, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SIHFBC30ASGE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 4 275,30*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 427,53* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.