MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8181384

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI7129DN-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040742888

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	11,5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	PowerPAK 1212-8
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	20 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	52,1 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	3.15mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8181384, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI7129DNT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 731,60*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 136,58* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.