MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 12 V, 3-tüskés, SOT-23 SQ Rugged Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8193901

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SQ2315ES-T1_GE3

EAN/GTIN:
5059040642164

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	12 V
Csomag típusa:	SOT-23
Sorozat:	SQ Rugged
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	92 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.45V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-8 V, +8 V
Hossz:	3.04mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

További keresőfogalmak: 8193901, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SQ2315EST1_GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 193,50*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 59,675* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.