MOSFET, 1 elem/chip, 110 mA, 240 V, 3-tüskés, SOT-23 SIPMOS® Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8270070

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
BSS131H6327XTSA1

EAN/GTIN:
5059043512594

Keresőfogalmak:

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	110 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	240 V
Csomag típusa:	SOT-23
Sorozat:	SIPMOS®
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	20 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1.8V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.8V
Maximális teljesítménydisszipáció:	360 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	2.9mm

További keresőfogalmak: 8270070, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, BSS131H6327XTSA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 6 315,50*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 250 db (kezdő: HUF 25,262* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.