Kategóriák
Irodai kellékek
Hardver, szoftver, telekommunikáció
Szerszámok, Szerszámgépek
Elektronika, elektrotechnika
Üzemi felszerelés, raktári felszerelés
Munkavédelem
Műszaki kereskedelem
Egészségügy, terápia, labor
Háztechnika, épülettechnika
Szállítás, csomagolás
Hotel, vendéglátás, étel, ital
Takarítóeszközök
További kategóriák
Magyarország
Magyar
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Bejelentkezni
Új ügyfél?
Regisztráljon most
>
Profil
Rendelési archívum
Bevásárlólisták
Beszerzési igénylések
Kosár
Nyitólap
>
Elektronika, elektrotechnika
>
Aktív komponensek
>
Egyenirányítók, diódák, tranzisztorok
>
Tranzisztor
>
Teljesítmény-MOSFET
>
Cikk
MOSFET, 2 elem/chip, 2,3 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si
Mennyiség:
csomag
Termékinformációk
Ablak bezárása
Cikkszám:
4GUDN-8312869
Gyártó:
Infineon
Gyártói szám:
IRF7104TRPBF
EAN/GTIN:
5059043020273
Keresőfogalmak:
Teljesítmény-MOSFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
P-csatornás MOSFET 12 V - 20 V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumokat tartalmaz, amelyek képesek kielégíteni az alaplap szinte bármilyen elrendezését és a termikus tervezési kihívást. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.
További információk:
Csatorna típusa:
P
Maximális folyamatos nyelőáram:
2,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:
20 V
Csomag típusa:
SOIC
Sorozat:
HEXFET
Rögzítés típusa:
Felületre szerelhető
Tüskék száma:
8
Maximális nyelő forrásellenállás:
400 mΩ
Csatorna mód:
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:
3V
Minimális kapu küszöbfeszültség:
1V
Maximális teljesítménydisszipáció:
2 W
Tranzisztorkonfiguráció:
Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:
-12 V, +12 V
Hossz:
5mm
... >
Félvezetők
>
Diszkrét félvezetők
>
MOSFET-ek
További keresőfogalmak:
8312869
,
Félvezetők
,
Diszkrét félvezetők
,
MOSFET-ek
,
Infineon
,
IRF7104TRPBF
A kondíciók áttekintése
1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 3 203,80*
Az ár 3 000 csomagok-től érvényes
1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 160,19* db-ként)
Részletes információk
Cikk megosztása
Cikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
1 csomag
HUF 6 643,80*
HUF 8 437,626
csomag-ként
kezdő: 2 csomagok
HUF 6 608,80*
HUF 8 393,176
csomag-ként
kezdő: 5 csomagok
HUF 6 320,80*
HUF 8 027,416
csomag-ként
kezdő: 10 csomagok
HUF 4 889,50*
HUF 6 209,665
csomag-ként
kezdő: 20 csomagok
HUF 4 747,50*
HUF 6 029,325
csomag-ként
kezdő: 25 csomagok
HUF 4 395,90*
HUF 5 582,793
csomag-ként
kezdő: 50 csomagok
HUF 4 101,10*
HUF 5 208,397
csomag-ként
kezdő: 100 csomagok
HUF 3 810,80*
HUF 4 839,716
csomag-ként
kezdő: 3000 csomagok
HUF 3 203,80*
HUF 4 068,826
csomag-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.
Rólunk
Ügyfélszolgálat
Sajtóközlemény
Karrier
ÁSZF
Impresszum
Adatvédelem
Fenntarthatóság
Adatvédelmi beállítások