MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, I2PAK (TO-262) OptiMOS™ 3 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8922166

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IPI086N10N3GXKSA1

EAN/GTIN:
5059043618609

Keresőfogalmak:

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	80 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	I2PAK (TO-262)
Sorozat:	OptiMOS™ 3
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	15,4 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	125 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.36mm

További keresőfogalmak: 8922166, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPI086N10N3GXKSA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 992,40*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 198,48* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.