MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8977361

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IPB083N10N3GATMA1

EAN/GTIN:
5059043741871

Keresőfogalmak:

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	80 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Sorozat:	OptiMOS™ 3
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	15,1 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	125 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.31mm

További keresőfogalmak: 8977361, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPB083N10N3GATMA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 4 289,704*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 8 db (kezdő: HUF 536,213* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.