MOSFET, 1 elem/chip, 83 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 3 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8977412

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IPP111N15N3GXKSA1

EAN/GTIN:
5059043840130

Keresőfogalmak:

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	83 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	150 V
Csomag típusa:	TO-220
Sorozat:	OptiMOS™ 3
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	11,3 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	214 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.36mm

További keresőfogalmak: 8977412, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPP111N15N3GXKSA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 5 645,00*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 4 db (kezdő: HUF 1 411,25* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.