MOSFET, 1 elem/chip, 300 A, 100 V, 8-tüskés, HSOF-8 OptiMOS™ 3 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9064356

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IPT020N10N3ATMA1

EAN/GTIN:
5059043835150

Keresőfogalmak:

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	300 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	HSOF-8
Sorozat:	OptiMOS™ 3
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	3,7 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális teljesítménydisszipáció:	375 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.58mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 9064356, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPT020N10N3ATMA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 121,20*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 2 db (kezdő: HUF 1 060,60* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.